SPD18P06P G
制造厂商：英飞凌（英文名：INFINEON）
类别封装：单端场效应管，PG-TO252-3
技术参数：MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
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参数详情：
制造商产品型号：SPD18P06P G制造商：Infineon Technologies（英飞凌）描述：MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3系列：SIPMOSFET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：60V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：18.6A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：130 毫欧 @ 13.2A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：33nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：860pF @ 25V功率 - 最大值：80W安装类型：表面贴装封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63供应商器件封装：PG-TO252-3SPD18P06P G的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
