SPD18P06P G
制造厂商:英飞凌(英文名:INFINEON)
类别封装:单端场效应管,PG-TO252-3
技术参数:MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
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参数详情:
制造商产品型号:SPD18P06P G制造商:Infineon Technologies(英飞凌)描述:MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3系列:SIPMOSFET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):60V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):18.6A(Tc)不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):130 毫欧 @ 13.2A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):33nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):860pF @ 25V功率 - 最大值:80W安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63供应商器件封装:PG-TO252-3SPD18P06P G的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。