IRFHM8363TR2PBF
制造厂商：英飞凌（英文名：INFINEON）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-PowerVDFN
技术参数：MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
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参数详情：
制造商产品型号：IRFHM8363TR2PBF制造商：Infineon Technologies（英飞凌）描述：MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：*零件状态：停产FET类型：2 N-通道（双）FET功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：11A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：14.9 毫欧 @ 10A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 25μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：15nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1165pF @ 10V功率-最大值：2.7W工作温度：-安装类型：表面贴装型封装：8-PowerVDFNIRFHM8363TR2PBF的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
