IPW50R190CE
制造厂商：英飞凌（英文名：INFINEON）
类别封装：单端场效应管，PG-TO247-3
技术参数：MOSFET N-CH 500V 18.5A TO247
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参数详情：
Infineon英飞凌公司完整型号：IPW50R190CE制造商：Infineon Technologies（英飞凌）描述：MOSFET N-CH 500V 18.5A TO247系列：CoolMOSFET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：超级结漏源极电压 (Vdss)：500V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：18.5A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：190 毫欧 @ 6.2A, 13V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 510A不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：47.2nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1137pF @ 100V功率 - 最大值：127W安装类型：通孔封装/外壳：TO-247-3供应商器件封装：PG-TO247-3IPW50R190CE的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
