IPG20N06S4L26ATMA1
制造厂商：英飞凌（英文名：INFINEON）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-PowerVDFN
技术参数：MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8
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参数详情：
制造商产品型号：IPG20N06S4L26ATMA1制造商：Infineon Technologies（英飞凌）描述：MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：OptiMOS?零件状态：有源FET类型：2 N-通道（双）FET功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）：60V25°C时电流-连续漏极(Id)：20A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：26 毫欧 @ 17A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 10μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：20nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1430pF @ 25V功率-最大值：33W工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-PowerVDFNIPG20N06S4L26ATMA1的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
