IPG20N06S2L-65
制造厂商：英飞凌（英文名：INFINEON）
类别封装：场效应管阵列，PG-TDSON-8-4
技术参数：MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
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参数详情：
Infineon英飞凌公司完整型号：IPG20N06S2L-65制造商：Infineon Technologies（英飞凌）描述：MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4系列：OptiMOSFET 类型：2 个 N 沟道（双）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：55V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：20A不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：65 毫欧 @ 15A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 14A不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：12nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：410pF @ 25V功率 - 最大值：43W安装类型：表面贴装封装/外壳：8-PowerTDFN供应商器件封装：PG-TDSON-8-4（5.15x6.15）IPG20N06S2L-65的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
