IGD01N120H2BUMA1
制造厂商：英飞凌（英文名：INFINEON）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
技术参数：IGBT 1200V 3.2A 28W TO252-3
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参数详情：
制造商产品型号：IGD01N120H2BUMA1制造商：Infineon Technologies（英飞凌）描述：IGBT 1200V 3.2A 28W TO252-3系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：最後IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：1200V电流-集电极(Ic)（最大值）：3.2A电流-集电极脉冲(Icm)：3.5A不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：2.8V @ 15V，1A功率-最大值：28W开关能量：140J输入类型：标准栅极电荷：8.6nC25°C时Td（开/关）值：13ns/370ns测试条件：800V，1A，241 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：-工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63IGD01N120H2BUMA1的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
