IGD01N120H2
制造厂商：英飞凌（英文名：INFINEON）
类别封装：单路IGBT，PG-TO252-3
技术参数：IGBT 1200V 3.2A 28W TO252-3
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参数详情：
Infineon英飞凌公司完整型号：IGD01N120H2制造商：Infineon Technologies（英飞凌）描述：IGBT 1200V 3.2A 28W TO252-3系列：-IGBT 类型：-电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3.2ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：3.5A不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.8V @ 15V，1A功率 - 最大值：28WSwitching Energy：140J输入类型：标准Gate Charge：8.6nC25°C 时 Td（开/关）值：13ns/370nsTest Condition：800V, 1A, 241 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr)：-封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63安装类型：表面贴装供应商器件封装：PG-TO252-3IGD01N120H2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
