BSC440N10NS3 G
制造厂商：英飞凌（英文名：INFINEON）
类别封装：单端场效应管，PG-TDSON-8
技术参数：MOSFET N-CH 100V 18A TDSON-8
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参数详情：
Infineon英飞凌公司完整型号：BSC440N10NS3 G制造商：Infineon Technologies（英飞凌）描述：MOSFET N-CH 100V 18A TDSON-8系列：OptiMOSFET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：100V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：5.3A（Ta），18A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：44 毫欧 @ 12A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 12A不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：10.8nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：810pF @ 50V功率 - 最大值：29W安装类型：表面贴装封装/外壳：8-PowerTDFN供应商器件封装：PG-TDSON-8（5.15x6.15）BSC440N10NS3 G的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
